编号

NO.

项目

规格

单位

UNITS

ITEMS

SPECIFICATIONS

1

拉制方式

CZ

Growing Method

2

材 料

单晶硅

Material

Monocrystalline Silicon

3

导电类型&掺杂剂

P/B or P/Ga

Type & Dopant

4

硅片尺寸

125*125±0.5

156*156±0.5

mm

Wafer Size

（见附图1）

(See Figure 1)

5

直径

150±0.5

200±0.5

mm

Diameter

6

垂直度

90±0.3

°

Perpendicularity

7

厚 度

200±20

μm

Thickness

8

总厚度变化

≤ 30

μm

TTV

9

电阻率

A: 0.5 ≤ ρ < 3  B: 3 ≤ ρ < 6

Ω·cm

Resistivity

10

少子寿命

≥ 10

μs

Minority Carrier Life

11

晶向

＜100＞ ±2.0

°　

Orientation

12

位错密度

≤ 3000

pcs/cm2

Dislocation Density

13

氧含量

≤ 1*1018 (ASTM F121-83)

atoms/cm3

Oxygen Content

14

碳含量

≤ 5*1016 (ASTM F123-83)

atoms/cm3

Carbon Content

15

崩边

深度Depth ≤ 0.3mm,长度Length ≤ 0.5mm

Edge Defect

(最多2处) (Max 2 pieces)

16

沾污

无

Contamination Area

None

17

线痕

≤ 20

μm

Saw Mark

18

翘曲度

≤ 50

μm

Warpage

硅片型号

Wafer Type

尺寸(mm)

Dimension

A

B

C

D

Max

Min

Max

Min

Max

Min

Max

Min

   125 I

125.5

124.5

150.5

149.5

84

82

31

29

   125 II

125.5

124.5

165.5

164.5

109

107

13

11

   156 I

156.5

155.5

200.5

199.5

126

124

23

21

   156 II

156.5

155.5

203.5

202.5

131

129

19

17